32 ГБ DDR4 2133 МГц - 32 ГБ - 1

Повысьте производительность вашего ПК на новый уровень.
Вам нужен правильный эксперт для правильного решения памяти для ПК.
Samsung является лидером на рынке DRAM, а нашу DRAM выбирают большинство OEM-производителей на протяжении многих лет.
Воспользуйтесь новейшей памятью Samsung DDR4, чтобы вывести свой компьютер на новое измерение высокой скорости и низкого энергопотребления.

Улучшенная пропускная способность для высокопроизводительных устройств приложения.
Поскольку компьютерные приложения становятся все более важными и сложными, к персональным компьютерам предъявляются самые жесткие требования. Сегодня ПК должны обеспечивать исключительную скорость для достижения необходимой производительности.

Samsung 2xnm DDR4 UDIMM и SODIMM обеспечивают начальную пропускную способность 2400 Мбит/с, которая может достигать заданных JEDEC 3200 Мбит/с. Пропускная способность DDR4 в 2 раза выше, чем у DDR3.

Полная многозадачность с меньшими затратами энергии.
Потребители хотят иметь возможность рассчитывать на отличную мощность аккумулятора для выполнения своих задач. DRAM для ПК Samsung обеспечивает более длительное время отключения от сети за счет более низкого энергопотребления. Это обеспечивает продление срока службы батареи ноутбуков при сохранении высокой производительности.

Samsung DDR4 SODIMM и UDIMM потребляют меньше энергии благодаря своей уникальной технологии 2xnm. 2xnm DDR4 от Samsung, работающий при напряжении 1,2 В, обеспечивает примерно на 26 % более высокую производительность на ватт по сравнению с 2xnm DDR3, работающим при напряжении 1,5 В.

Samsung также предлагает 2xnm LPDDR4, работающий при напряжении 1,1 В, что обеспечивает увеличение энергоэффективности на 37 % по сравнению с 2xnm LPDDR3, работающим при напряжении 1,2 В.

Удвойте эффективность емкость с первыми в мире чипами емкостью 8 Гб.
Повышение плотности позволило Samsung предложить DRAM большей емкости, обеспечивая более высокую скорость передачи данных, необходимую сегодня устройствам. ПК могут получить выгоду от DRAM высокой плотности за счет использования меньшего количества компонентов DRAM, что приводит к экономии места.

Samsung DDR4 UDIMM может достичь максимальной емкости 128 ГБ с использованием первых в мире чипов емкостью 8 ГБ, что в 2 раза больше, чем у DDR3 64 ГБ, изготовленных из чипов емкостью 4 ГБ.